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BSO207P H /MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P
BSO207P H的规格信息
BSO207P H的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SO-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:5.7 A

Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms, 32 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:- 16 nC, - 16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.75 mm

长度:4.9 mm

系列:OptiMOS P

晶体管类型:2 P-Channel

宽度:3.9 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:10 S, 10 S

下降时间:35 ns, 35 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:22 ns, 22 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:33 ns, 33 ns

典型接通延迟时间:9 ns, 9 ns

零件号别名:BSO207PHXUMA1 BSO27PHXT SP000613832

单位重量:540 mg

供应商BSO207P H
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现代芯城(深圳)科技有限公司BSO207P Hwww.nowchip.com0755-27381274
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BSO207P HInfineonFET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-KANAL2500+:¥3.54
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BSO207P HInfineonFET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-KANAL2500+:¥3.541+:¥7.02
10+:¥5.62
100+:¥4.32
500+:¥3.8201
1000+:¥3.74
2500+:¥3.43
10000+:¥3.34
25000+:¥3.24
50000+:¥3.1601
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BSO207P HInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
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Rochester
BSO207P HInfineonFET - 阵列 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-KANAL2500+:¥3.541+:¥7.02
10+:¥5.62
100+:¥4.32
500+:¥3.8201
1000+:¥3.74
2500+:¥3.43
10000+:¥3.34
25000+:¥3.24
50000+:¥3.16011+:¥3.51
25+:¥3.48
50+:¥3.45
100+:¥3.42
300+:¥3.3499
500+:¥3.3301
1000+:¥3.3
5000+:¥3.28